Name: SQJQ144AE-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ144AE-T1_GE3TR-ND
Price: 82.6672 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SQJQ144AE-T1_GE3
cms-digikey-product-number	742-SQJQ144AE-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQJQ144AE-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQJQ144AE-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SQJQ144AE-T1_GE3
cms-description	MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
cms-standard-lead-time	27 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 40 V 575A (Tc) 600W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 8x8
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	SQJQ144AE-T1_GE3 Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	575A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,9mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	145 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	9020 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	600W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 8x8
Pouzdro	PowerPAK® 8x8
Základní číslo produktu	SQJQ144