Name: SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND
Price: 124.6663 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJQ112E-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQJQ112E-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJQ112E-T1_GE3
Popis	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Standardní dodací lhůta výrobce	37 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 8x8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJQ112E-T1_GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 272 nC @ 10 V
Řada TrenchFET® Gen IV	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 15945 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 600W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 296A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 8x8
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,53mOhm při 20A, 10V	Pouzdro PowerPAK® 8x8