Name: SQJB40EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJB40EP-T1_GE3TR-ND
Price: 34.2793 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJB40EP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJB40EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJB40EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJB40EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJB40EP-T1_GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 30A (Tc) 34W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJB40EP-T1_GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	8mOhm při 8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	35nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1900pF při 25V
Výkon - max	34W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SO-8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8 duální
Základní číslo produktu	SQJB40