Name: SQJB02ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJB02ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 44.2134 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJB02ELP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQJB02ELP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQJB02ELP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJB02ELP-T1_GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	39 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 30A (Tc) 27W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 32nC při 10V
Výrobce Vishay Siliconix	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1 700pF při 20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)	Výkon - max 27W
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® SO-8 duální
Rds zap (max) při Id, Vgs 7,5mOhm při 6A, 10V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8 duální
Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 250µA	Základní číslo produktu SQJB02

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 41 401

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT)

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	36,54000 Kč
Jednotková cena s DPH:	44,21340 Kč

SQJB02ELP-T1_GE3