Name: SQJA68EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJA68EP-T1_GE3TR-ND
Price: 32.8031 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJA68EP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJA68EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJA68EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJA68EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJA68EP-T1_GE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 14A (Tc) 45W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8L
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Řada TrenchFET®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 280 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 45W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 14A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8L
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro PowerPAK® SO-8L
Rds zap (max) při Id, Vgs 92mOhm při 4A, 10V	Základní číslo produktu SQJA68
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 823

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)