Name: SQJ992EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ992EP-T1_GE3TR-ND
Price: 39.3129 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SQJ992EP-T1_GE3
cms-digikey-product-number	SQJ992EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ992EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ992EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SQJ992EP-T1_GE3
cms-description	MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
cms-standard-lead-time	22 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Pole MOSFET 60V 15A 34W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	15A
Rds zap (max) při Id, Vgs	56,2mOhm při 3,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	12nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	446pF při 30V
Výkon - max	34W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SO-8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8 duální
Základní číslo produktu	SQJ992