Name: SQJ960EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ960EP-T1_GE3TR-ND
Price: 73.0961 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SQJ960EP-T1_GE3
cms-digikey-product-number	SQJ960EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ960EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ960EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SQJ960EP-T1_GE3
cms-description	MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
cms-standard-lead-time	22 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Pole MOSFET 60V 8A 34W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	SQJ960EP-T1_GE3 Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8A
Rds zap (max) při Id, Vgs	36mOhm při 5,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	20nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	735pF při 25V
Výkon - max	34W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SO-8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8 duální
Základní číslo produktu	SQJ960