Name: SQJ960EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ960EP-T1_GE3TR-ND
Price: 79.013 CZK
Availability: InStock

SQJ960EP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJ960EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ960EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ960EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJ960EP-T1_GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 8A 34W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJ960EP-T1_GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8A
Rds zap (max) při Id, Vgs	36mOhm při 5,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	20nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	735pF při 25V
Výkon - max	34W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SO-8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8 duální
Základní číslo produktu	SQJ960

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	19,44660 Kč	58 339,80 Kč
6 000	18,39162 Kč	110 349,72 Kč

Jednotková cena bez DPH:	65,30000 Kč
Jednotková cena s DPH:	79,01300 Kč

SQJ960EP-T1_GE3