Name: SQJ958EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ958EP-T1_GE3TR-ND
Price: 44.7216 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJ958EP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJ958EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ958EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ958EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJ958EP-T1_GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 20A (Tc) 35W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 23nC při 10V
Výrobce Vishay Siliconix	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1075pF při 30V
Řada TrenchFET®	Výkon - max 35W
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Stav součásti Aktivní	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60V	Pouzdro PowerPAK® SO-8 duální
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 20A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8 duální
Rds zap (max) při Id, Vgs 34,9mOhm při 4,5A, 10V	Základní číslo produktu SQJ958
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA