Name: SQJ940EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ940EP-T1_GE3TR-ND
Price: 50.4086 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SQJ940EP-T1_GE3
cms-digikey-product-number	SQJ940EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ940EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ940EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SQJ940EP-T1_GE3
cms-description	MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO8
cms-standard-lead-time	22 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Pole MOSFET 40V 15A (Ta), 18A (Tc) 48W, 43W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální asymetrický
cms-datasheet	cms-datasheet

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	15A (Ta), 18A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	16mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	20nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	896pF při 20V
Výkon - max	48W, 43W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SO-8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8 duální asymetrický
Základní číslo produktu	SQJ940