Name: SQJ940EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ940EP-T1_GE3TR-ND
Price: 54.3774 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJ940EP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJ940EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ940EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ940EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJ940EP-T1_GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 15A (Ta), 18A (Tc) 48W, 43W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální asymetrický
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Výrobce Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 20nC při 20V
Řada TrenchFET®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 896pF při 20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 48W, 43W
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Kvalifikace AEC-Q101
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40V	Pouzdro PowerPAK® SO-8 duální
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 15A (Ta), 18A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8 duální asymetrický
Rds zap (max) při Id, Vgs 16mOhm při 15A, 10V	Základní číslo produktu SQJ940