
SQJ914EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SQJ914EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ914EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ914EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SQJ914EP-T1_GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 23 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 30A (Tc) 27W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SQJ914EP-T1_GE3 Modely |
Kategorie | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 25nC při 10V |
Výrobce Vishay Siliconix | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1110pF při 15V |
Řada | Výkon - max 27W (Tc) |
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stav součásti Aktivní | Třída Automobilový průmysl |
Technologie MOSFET (oxid kovu) | Kvalifikace AEC-Q101 |
Konfigurace 2 N-kanál (duální) | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V | Pouzdro PowerPAK® SO-8 duální |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30A (Tc) | Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8 duální |
Rds zap (max) při Id, Vgs 12mOhm při 4,5A, 10V | Základní číslo produktu |
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 41,58000 Kč | 41,58 Kč |
| 10 | 26,41500 Kč | 264,15 Kč |
| 100 | 17,76640 Kč | 1 776,64 Kč |
| 500 | 14,06026 Kč | 7 030,13 Kč |
| 1 000 | 12,86799 Kč | 12 867,99 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 11,35425 Kč | 34 062,75 Kč |
| 6 000 | 10,59255 Kč | 63 555,30 Kč |
| 9 000 | 10,20468 Kč | 91 842,12 Kč |
| 15 000 | 9,88481 Kč | 148 272,15 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 41,58000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 50,31180 Kč |

