Name: SQJ912DEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND
Price: 37.5584 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SQJ912DEP-T1_GE3
cms-digikey-product-number	742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQJ912DEP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQJ912DEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SQJ912DEP-T1_GE3
cms-description	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
cms-standard-lead-time	27 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Pole MOSFET 40V 30A (Tc) 27W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	SQJ912DEP-T1_GE3 Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,3mOhm při 7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	36nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	-
Výkon - max	27W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SO-8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8 duální
Základní číslo produktu	SQJ912