
SQJ912BEP-T1_GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SQJ912BEP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ912BEP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ912BEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SQJ912BEP-T1_GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 23 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 40V 30A (Tc) 48W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SQJ912BEP-T1_GE3 Modely |
Kategorie | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 60nC při 10V |
Výrobce Vishay Siliconix | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3000pF při 25V |
Řada | Výkon - max 48W (Tc) |
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stav součásti Aktivní | Třída Automobilový průmysl |
Technologie MOSFET (oxid kovu) | Kvalifikace AEC-Q101 |
Konfigurace 2 N-kanál (duální) | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40V | Pouzdro PowerPAK® SO-8 duální |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30A (Tc) | Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8 duální |
Rds zap (max) při Id, Vgs 11mOhm při 9A, 10V | Základní číslo produktu |
Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 43,89000 Kč | 43,89 Kč |
| 10 | 27,99000 Kč | 279,90 Kč |
| 100 | 18,87510 Kč | 1 887,51 Kč |
| 500 | 14,97452 Kč | 7 487,26 Kč |
| 1 000 | 13,71988 Kč | 13 719,88 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 12,12718 Kč | 36 381,54 Kč |
| 6 000 | 11,32580 Kč | 67 954,80 Kč |
| 9 000 | 10,91770 Kč | 98 259,30 Kč |
| 15 000 | 10,67223 Kč | 160 083,45 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 43,89000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 53,10690 Kč |

