Name: SQJ872EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ872EP-T1_GE3TR-ND
Price: 40.3293 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJ872EP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJ872EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ872EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ872EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJ872EP-T1_GE3
Popis	MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 24,5A (Tc) 55W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJ872EP-T1_GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	24,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	35,5mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1045 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	55W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SQJ872