
SQJ560EP-T1_GE3 | |
---|---|
cms-digikey-product-number | SQJ560EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ560EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ560EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
cms-manufacturer | |
cms-manufacturer-product-number | SQJ560EP-T1_GE3 |
cms-description | MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8 |
cms-standard-lead-time | 27 týdnů |
cms-customer-reference | |
cms-detailed-description | Pole MOSFET 60V 30A (Tc), 18A (Tc) 34W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální |
cms-datasheet | cms-datasheet |
cms-eda-cad-models | SQJ560EP-T1_GE3 Modely |
cms-type | cms-description | cms-select-all |
---|---|---|
cms-category | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | N a P-kanál | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 60V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 30A (Tc), 18A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 12mOhm při 10A, 10V, 52,6mOhm při 10A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 30nC při 10V, 45nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1650pF při 25V | |
Výkon - max | 34W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | Automobilový průmysl | |
Kvalifikace | AEC-Q101 | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | PowerPAK® SO-8 duální | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SO-8 duální | |
Základní číslo produktu |
cms-quantity | cms-unit-price | cms-ext-price |
---|---|---|
1 | 42,28000 Kč | 42,28 Kč |
10 | 26,97500 Kč | 269,75 Kč |
100 | 18,23460 Kč | 1 823,46 Kč |
500 | 14,49018 Kč | 7 245,09 Kč |
1 000 | 13,64990 Kč | 13 649,90 Kč |
cms-quantity | cms-unit-price | cms-ext-price |
---|---|---|
3 000 | 11,75784 Kč | 35 273,52 Kč |
6 000 | 11,15186 Kč | 66 911,16 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 42,28000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 51,15880 Kč |