Name: SQJ504EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ504EP-T1_GE3TR-ND
Price: 54.7646 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJ504EP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJ504EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ504EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ504EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJ504EP-T1_GE3
Popis	MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 30A (Tc) 34W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJ504EP-T1_GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,5mOhm při 8A, 10V, 17mOhm při 8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	30nC při 10V, 85nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1900pF při 25V, 4600pF při 25V
Výkon - max	34W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SO-8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8 duální
Základní číslo produktu	SQJ504