Name: SQJ504EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ504EP-T1_GE3TR-ND
Price: 58.0437 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJ504EP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJ504EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ504EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ504EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJ504EP-T1_GE3
Popis	MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	37 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 30A (Tc) 34W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJ504EP-T1_GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 30nC při 10V, 85nC při 10V
Výrobce Vishay Siliconix	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1900pF při 25V, 4600pF při 25V
Řada TrenchFET®	Výkon - max 34W (Tc)
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Stav součásti Aktivní	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Konfigurace N a P-kanál	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40V	Pouzdro PowerPAK® SO-8 duální
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8 duální
Rds zap (max) při Id, Vgs 7,5mOhm při 8A, 10V, 17mOhm při 8A, 10V	Základní číslo produktu SQJ504
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA