Name: SQJ500AEP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ500AEP-T1_BE3TR-ND
Price: 54.1838 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJ500AEP-T1_BE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQJ500AEP-T1_BE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQJ500AEP-T1_BE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQJ500AEP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJ500AEP-T1_BE3
Popis	MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 30A (Tc) 48W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,2mOhm při 9,8A, 10V, 27mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 250µA, 2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	38,3nC při 10V, 45nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1 843pF při 20V, 1 628pF při 20V
Výkon - max	48W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SQJ500