Name: SQJ264EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ264EP-T1_GE3TR-ND
Price: 51.9211 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SQJ264EP-T1_GE3
cms-digikey-product-number	742-SQJ264EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQJ264EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQJ264EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SQJ264EP-T1_GE3
cms-description	MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
cms-standard-lead-time	27 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Pole MOSFET 60V 20A (Tc), 54A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální asymetrický
cms-datasheet	cms-datasheet

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální) asymetrický
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20A (Tc), 54A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	20mOhm při 6A, 10V, 8,6mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	16nC při 10V, 32nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1 000pF při 25V, 2 100pF při 25V
Výkon - max	27W (Tc), 48W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SO-8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8 duální asymetrický
Základní číslo produktu	SQJ264