Name: SQJ262EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ262EP-T1_GE3TR-ND
Price: 47.8918 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SQJ262EP-T1_GE3
cms-digikey-product-number	SQJ262EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ262EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ262EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SQJ262EP-T1_GE3
cms-description	MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
cms-standard-lead-time	27 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Pole MOSFET 60V 15A (Tc), 40A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální asymetrický
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	SQJ262EP-T1_GE3 Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	15A (Tc), 40A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	35,5mOhm při 2A, 10V, 15,5mOhm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10nC při 10V, 23nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	550pF při 25V, 1260pF při 25V
Výkon - max	27W (Tc), 48W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SO-8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8 duální asymetrický
Základní číslo produktu	SQJ262