
SQJ262EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SQJ262EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ262EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ262EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SQJ262EP-T1_GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 39 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 60V 15A (Tc), 40A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální asymetrický |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SQJ262EP-T1_GE3 Modely |
Kategorie | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 10nC při 10V, 23nC při 10V |
Výrobce Vishay Siliconix | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 550pF při 25V, 1260pF při 25V |
Řada | Výkon - max 27W (Tc), 48W (Tc) |
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stav součásti Aktivní | Třída Automobilový průmysl |
Technologie MOSFET (oxid kovu) | Kvalifikace AEC-Q101 |
Konfigurace 2 N-kanál (duální) | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60V | Pouzdro PowerPAK® SO-8 duální |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 15A (Tc), 40A (Tc) | Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8 duální asymetrický |
Rds zap (max) při Id, Vgs 35,5mOhm při 2A, 10V, 15,5mOhm při 5A, 10V | Základní číslo produktu |
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 42,84000 Kč | 42,84 Kč |
| 10 | 27,21300 Kč | 272,13 Kč |
| 100 | 18,33760 Kč | 1 833,76 Kč |
| 500 | 14,53104 Kč | 7 265,52 Kč |
| 1 000 | 13,30643 Kč | 13 306,43 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 11,75181 Kč | 35 255,43 Kč |
| 6 000 | 10,96957 Kč | 65 817,42 Kč |
| 9 000 | 10,57128 Kč | 95 141,52 Kč |
| 15 000 | 10,28902 Kč | 154 335,30 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 42,84000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 51,83640 Kč |

