
SQJ262EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SQJ262EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ262EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ262EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SQJ262EP-T1_GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 41 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 60V 15A (Tc), 40A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální asymetrický |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SQJ262EP-T1_GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 60V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 15A (Tc), 40A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 35,5mOhm při 2A, 10V, 15,5mOhm při 5A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 10nC při 10V, 23nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 550pF při 25V, 1260pF při 25V | |
Výkon - max | 27W (Tc), 48W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | Automobilový průmysl | |
Kvalifikace | AEC-Q101 | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | PowerPAK® SO-8 duální | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SO-8 duální asymetrický | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 39,01000 Kč | 39,01 Kč |
| 10 | 24,88400 Kč | 248,84 Kč |
| 100 | 16,75780 Kč | 1 675,78 Kč |
| 500 | 13,27854 Kč | 6 639,27 Kč |
| 1 000 | 12,31397 Kč | 12 313,97 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 10,73900 Kč | 32 217,00 Kč |
| 6 000 | 10,06044 Kč | 60 362,64 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 39,01000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 47,20210 Kč |

