
SQJ202EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SQJ202EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQJ202EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQJ202EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SQJ202EP-T1_GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 23 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 12V 20A, 60A 27W, 48W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální asymetrický |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SQJ202EP-T1_GE3 Modely |
Kategorie | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 22nC při 10V |
Výrobce Vishay Siliconix | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 975pF při 6V |
Řada | Výkon - max 27W, 48W |
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stav součásti Aktivní | Třída Automobilový průmysl |
Technologie MOSFET (oxid kovu) | Kvalifikace AEC-Q101 |
Konfigurace 2 N-kanál (duální) | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 12V | Pouzdro PowerPAK® SO-8 duální |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 20A, 60A | Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8 duální asymetrický |
Rds zap (max) při Id, Vgs 6,5mOhm při 15A, 10V | Základní číslo produktu |
Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 44,94000 Kč | 44,94 Kč |
| 10 | 28,72500 Kč | 287,25 Kč |
| 100 | 19,40640 Kč | 1 940,64 Kč |
| 500 | 15,41296 Kč | 7 706,48 Kč |
| 1 000 | 14,12850 Kč | 14 128,50 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 12,49843 Kč | 37 495,29 Kč |
| 6 000 | 11,67825 Kč | 70 069,50 Kč |
| 9 000 | 11,26062 Kč | 101 345,58 Kč |
| 15 000 | 11,05282 Kč | 165 792,30 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 44,94000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 54,37740 Kč |

