
SQJ200EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SQJ200EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ200EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ200EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SQJ200EP-T1_GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 25 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 20V 20A, 60A 27W, 48W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální asymetrický |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SQJ200EP-T1_GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 20V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 20A, 60A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 8,8mOhm při 16A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 18nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 975pF při 10V | |
Výkon - max | 27W, 48W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | Automobilový průmysl | |
Kvalifikace | AEC-Q101 | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | PowerPAK® SO-8 duální | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SO-8 duální asymetrický | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 35,93000 Kč | 35,93 Kč |
| 10 | 22,76900 Kč | 227,69 Kč |
| 100 | 15,27340 Kč | 1 527,34 Kč |
| 500 | 12,05732 Kč | 6 028,66 Kč |
| 1 000 | 11,02254 Kč | 11 022,54 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 9,70853 Kč | 29 125,59 Kč |
| 6 000 | 9,04734 Kč | 54 284,04 Kč |
| 9 000 | 8,94402 Kč | 80 496,18 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 35,93000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 43,47530 Kč |

