
SQJ200EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SQJ200EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ200EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ200EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SQJ200EP-T1_GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 20 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 20V 20A, 60A 27W, 48W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální asymetrický |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SQJ200EP-T1_GE3 Modely |
Kategorie | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 18nC při 10V |
Výrobce Vishay Siliconix | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 975pF při 10V |
Řada | Výkon - max 27W, 48W |
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stav součásti Aktivní | Třída Automobilový průmysl |
Technologie MOSFET (oxid kovu) | Kvalifikace AEC-Q101 |
Konfigurace 2 N-kanál (duální) | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V | Pouzdro PowerPAK® SO-8 duální |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 20A, 60A | Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8 duální asymetrický |
Rds zap (max) při Id, Vgs 8,8mOhm při 16A, 10V | Základní číslo produktu |
Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 39,00000 Kč | 39,00 Kč |
| 10 | 24,75500 Kč | 247,55 Kč |
| 100 | 16,60100 Kč | 1 660,10 Kč |
| 500 | 13,10476 Kč | 6 552,38 Kč |
| 1 000 | 11,98023 Kč | 11 980,23 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 10,55205 Kč | 31 656,15 Kč |
| 6 000 | 9,83344 Kč | 59 000,64 Kč |
| 9 000 | 9,46747 Kč | 85 207,23 Kč |
| 15 000 | 9,08518 Kč | 136 277,70 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 39,00000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 47,19000 Kč |

