Name: SQD50N10-8M9L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50N10-8M9L_GE3TR-ND
Price: 63.4161 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQD50N10-8M9L_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQD50N10-8M9L_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQD50N10-8M9L_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQD50N10-8M9L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQD50N10-8M9L_GE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 50A (Tc) 136W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQD50N10-8M9L_GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	50A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	8,9mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2950 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	136W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	SQD50