Name: SQD23N06-31L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD23N06-31L_GE3TR-ND
Price: 64.7834 CZK
Availability: OutOfStock

SQD23N06-31L_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQD23N06-31L_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQD23N06-31L_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQD23N06-31L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQD23N06-31L_GE3
Popis	MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 23A (Tc) 37W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	23A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	31mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	845 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	37W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	SQD23

Jednotková cena bez DPH:	53,54000 Kč
Jednotková cena s DPH:	64,78340 Kč

SQD23N06-31L_GE3