Name: SQA470CEJW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQA470CEJW-T1_GE3TR-ND
Price: 17.061 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQA470CEJW-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQA470CEJW-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQA470CEJW-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQA470CEJW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQA470CEJW-T1_GE3
Popis	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 2,25A (Tc) 13,6W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,25A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	65mOhm při 3A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	440 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	13,6W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SC-70-6
Pouzdro	PowerPAK® SC-70-6

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)