
SQ4949EY-T1_GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SQ4949EY-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQ4949EY-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQ4949EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SQ4949EY-T1_GE3 |
Popis | MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC |
Standardní dodací lhůta výrobce | 24 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 7,5A (Tc) 3,3W Montáž na povrch 8-SOIC |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 P-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 7,5A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 35mOhm při 5,9A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 30nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1020pF při 25V | |
Výkon - max | 3,3W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | Automobilový průmysl | |
Kvalifikace | AEC-Q101 | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka) | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-SOIC | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 52,50000 Kč | 52,50 Kč |
| 10 | 33,68100 Kč | 336,81 Kč |
| 100 | 22,93820 Kč | 2 293,82 Kč |
| 500 | 18,34386 Kč | 9 171,93 Kč |
| 1 000 | 16,86706 Kč | 16 867,06 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 2 500 | 15,26907 Kč | 38 172,67 Kč |
| 5 000 | 14,28208 Kč | 71 410,40 Kč |
| 7 500 | 13,77945 Kč | 103 345,88 Kč |
| 12 500 | 13,64346 Kč | 170 543,25 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 52,50000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 63,52500 Kč |


