Name: SQ4949EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4949EY-T1_GE3TR-ND
Price: 59.3505 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQ4949EY-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQ4949EY-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQ4949EY-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQ4949EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQ4949EY-T1_GE3
Popis	MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 7,5A (Tc) 3,3W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 P-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,5A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	35mOhm při 5,9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	30nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1020pF při 25V
Výkon - max	3,3W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Základní číslo produktu	SQ4949