
SQ4920EY-T1_GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SQ4920EY-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQ4920EY-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQ4920EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SQ4920EY-T1_GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 8A 4,4W Montáž na povrch 8-SOIC |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 8A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 14,5mOhm při 6A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 30nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1465pF při 15V | |
Výkon - max | 4,4W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka) | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-SOIC | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 50,10000 Kč | 50,10 Kč |
| 10 | 32,22800 Kč | 322,28 Kč |
| 100 | 21,97620 Kč | 2 197,62 Kč |
| 500 | 17,59148 Kč | 8 795,74 Kč |
| 1 000 | 17,21764 Kč | 17 217,64 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 2 500 | 14,65670 Kč | 36 641,75 Kč |
| 5 000 | 14,06666 Kč | 70 333,30 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 50,10000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 60,62100 Kč |

