
SQ4920EY-T1_GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SQ4920EY-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQ4920EY-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQ4920EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SQ4920EY-T1_GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC |
Standardní dodací lhůta výrobce | 17 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 8A 4,4W Montáž na povrch 8-SOIC |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 8A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 14,5mOhm při 6A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 30nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1465pF při 15V | |
Výkon - max | 4,4W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka) | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-SOIC | |
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 42,91000 Kč | 42,91 Kč |
10 | 29,74500 Kč | 297,45 Kč |
100 | 21,74650 Kč | 2 174,65 Kč |
500 | 17,40764 Kč | 8 703,82 Kč |
1 000 | 17,03769 Kč | 17 037,69 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
2 500 | 14,50351 Kč | 36 258,78 Kč |
5 000 | 14,20773 Kč | 71 038,65 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 42,91000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 51,92110 Kč |