Name: SQ4470EY-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ4470EY-T1_BE3TR-ND
Price: 64.856 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQ4470EY-T1_BE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQ4470EY-T1_BE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQ4470EY-T1_BE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQ4470EY-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQ4470EY-T1_BE3
Popis	MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 16A (Tc) 7,1W (Tc) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 68 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Řada TrenchFET®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3165 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 7,1W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 16A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Rds zap (max) při Id, Vgs 12mOhm při 6A, 10V	Základní číslo produktu SQ4470
Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 250µA