Name: SQ4425EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4425EY-T1_GE3TR-ND
Price: 71.9224 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQ4425EY-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQ4425EY-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQ4425EY-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQ4425EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQ4425EY-T1_GE3
Popis	MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 18A (Tc) 6,8W (Tc) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 50 nC @ 4.5 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Řada TrenchFET®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3630 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 6,8W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 18A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Rds zap (max) při Id, Vgs 12mOhm při 13A, 10V	Základní číslo produktu SQ4425
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA