SQ3481EV-T1_GE3 Vishay Siliconix | Diskrétní polovodičové produkty

SQ3481EV-T1_GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Vishay Siliconix

Skladem : 0

Jednotková cena : 3,66407 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQ3481EV-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQ3481EV-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQ3481EV-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQ3481EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQ3481EV-T1_GE3
Popis	MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 7,5A (Tc) 4W (Tc) Montáž na povrch 6-TSOP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	43mOhm při 5,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	23.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	870 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	4W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-TSOP
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Základní číslo produktu	SQ3481