Name: SQ2361CEES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2361CEES-T1_GE3TR-ND
Price: 18.1742 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQ2361CEES-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQ2361CEES-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQ2361CEES-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQ2361CEES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQ2361CEES-T1_GE3
Popis	MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 2,8A (Tc) 2W (Tc) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 15 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 620 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,8A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23-3 (TO-236)
Rds zap (max) při Id, Vgs 170mOhm při 2,4A, 10V	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 5 866

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)