Name: SQ2319CES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2319CES-T1_GE3TR-ND
Price: 17.0247 CZK
Availability: InStock

SQ2319CES-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQ2319CES-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQ2319CES-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQ2319CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQ2319CES-T1_GE3
Popis	MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 4,6A (Tc) 3W (Tc) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQ2319CES-T1_GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	75mOhm při 3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	620 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-23-3 (TO-236)
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Jednotková cena bez DPH:	14,07000 Kč
Jednotková cena s DPH:	17,02470 Kč

SQ2319CES-T1_GE3