SQ2315ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQ2315ES-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQ2315ES-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQ2315ES-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQ2315ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQ2315ES-T1_GE3
Popis	MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 12 V 5A (Tc) 2W (Tc) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 13 nC @ 4.5 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (max) ±8V
Řada TrenchFET®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 870 pF @ 4 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 2W (Tc)
Stav součásti Zastaralé	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 12 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 5A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23-3 (TO-236)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,8V, 4,5V	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 50mOhm při 3,5A, 10V	Základní číslo produktu SQ2315
Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (2)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
SQ2315ES-T1_BE3	Vishay Siliconix	2 645	742-SQ2315ES-T1_BE3CT-ND	19,19000 Kč	Direct
SQ2315CES-T1_GE3	Vishay Siliconix	2 790	742-SQ2315CES-T1_GE3CT-ND	13,35000 Kč	MFR Recommended