SQ2303ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQ2303ES-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQ2303ES-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQ2303ES-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQ2303ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQ2303ES-T1_GE3
Popis	MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 2,5A (Tc) 1,9W (Tc) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	170mOhm při 1,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	210 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,9W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-23-3 (TO-236)
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	SQ2303

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 9 179

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Tento produkt se již nevyrábí a po vyčerpání skladových zásob nebude znovu naskladněn. Zobrazit Náhrady.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT)

Páska a cívka (TR)