Name: SQ1922AEEH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1922AEEH-T1_GE3TR-ND
Price: 17.8959 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQ1922AEEH-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQ1922AEEH-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQ1922AEEH-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQ1922AEEH-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQ1922AEEH-T1_GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 850mA (Tc) 1,5W (Tc) Montáž na povrch SC-70-6
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	850mA (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	300mOhm při 400mA, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	1,2nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	60pF při 10V
Výkon - max	1,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Dodávaná velikost pouzdra	SC-70-6
Základní číslo produktu	SQ1922