Name: SQ1922AEEH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1922AEEH-T1_GE3TR-ND
Price: 19.6867 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQ1922AEEH-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQ1922AEEH-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQ1922AEEH-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQ1922AEEH-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQ1922AEEH-T1_GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 850mA (Tc) 1,5W (Tc) Montáž na povrch SC-70-6
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1,2nC při 4,5V
Výrobce Vishay Siliconix	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 60pF při 10V
Řada TrenchFET®	Výkon - max 1,5W (Tc)
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Stav součásti Aktivní	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V	Pouzdro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 850mA (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra SC-70-6
Rds zap (max) při Id, Vgs 300mOhm při 400mA, 4,5V	Základní číslo produktu SQ1922
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 115 904

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)