Pole MOSFET 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Montáž na povrch 8-PowerPair® (6x5)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIZF906DT-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
742-SIZF906DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
742-SIZF906DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
742-SIZF906DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIZF906DT-T1-GE3
Popis
MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Standardní dodací lhůta výrobce
55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Montáž na povrch 8-PowerPair® (6x5)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Vishay Siliconix
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
60A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
3,8mOhm při 15A, 10V, 1,17mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
22nC při 4,5V, 92nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2000pF při 15V, 8200pF při 15V
Výkon - max
38W (Tc), 83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TA)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
8-PowerWDFN
Dodávaná velikost pouzdra
8-PowerPair® (6x5)
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání
Zkontrolovat dodací lhůtu
Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.
Všechny ceny jsou v CZK
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
6 00017,98297 Kč107 897,82 Kč
Jednotková cena bez DPH:17,98297 Kč
Jednotková cena s DPH:21,75939 Kč