Name: SIZF906DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF906DT-T1-GE3TR-ND
Price: 56.2892 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIZF906DT-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIZF906DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIZF906DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIZF906DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIZF906DT-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Montáž na povrch 8-PowerPair® (6x5)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	60A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,8mOhm při 15A, 10V, 1,17mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22nC při 4,5V, 92nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2000pF při 15V, 8200pF při 15V
Výkon - max	38W (Tc), 83W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TA)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerWDFN
Dodávaná velikost pouzdra	8-PowerPair® (6x5)
Základní číslo produktu	SIZF906