
SIZ998DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIZ998DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIZ998DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIZ998DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIZ998DT-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR |
Standardní dodací lhůta výrobce | 55 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20,2W, 32,9W Montáž na povrch 8-PowerPair® (6x5) |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIZ998DT-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální), Schottky | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 20A (Tc), 60A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 6,7mOhm při 15A, 10V, 2,8mOhm při 19A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,2V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 8,1nC při 4,5V, 19,8nC při 4,5V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 930pF při 15V, 2620pF při 15V | |
Výkon - max | 20,2W, 32,9W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-PowerWDFN | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-PowerPair® (6x5) | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 52,91000 Kč | 52,91 Kč |
| 10 | 33,99600 Kč | 339,96 Kč |
| 100 | 23,16920 Kč | 2 316,92 Kč |
| 500 | 18,53704 Kč | 9 268,52 Kč |
| 1 000 | 17,04786 Kč | 17 047,86 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 15,15755 Kč | 45 472,65 Kč |
| 6 000 | 14,20676 Kč | 85 240,56 Kč |
| 9 000 | 13,81668 Kč | 124 350,12 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 52,91000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 64,02110 Kč |





