Name: SIZ918DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ918DT-T1-GE3TR-ND
Price: 66.5621 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIZ918DT-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIZ918DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIZ918DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIZ918DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIZ918DT-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 16A, 28A 29W, 100W Montáž na povrch 8-PowerPair® (6x5)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIZ918DT-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 12mOhm při 13,8A, 10V
Výrobce Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 21nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 790pF při 15V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 29W, 100W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (polomůstkový)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-PowerWDFN
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra 8-PowerPair® (6x5)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 16A, 28A	Základní číslo produktu SIZ918

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 19 400

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	55,01000 Kč
Jednotková cena s DPH:	66,56210 Kč

SIZ918DT-T1-GE3