
SIZ902DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIZ902DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIZ902DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIZ902DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIZ902DT-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR |
Standardní dodací lhůta výrobce | 49 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 16A 29W, 66W Montáž na povrch 8-PowerPair® (6x5) |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (polomůstkový) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 16A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 12mOhm při 13,8A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,2V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 21nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 790pF při 15V | |
Výkon - max | 29W, 66W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-PowerWDFN | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-PowerPair® (6x5) | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 41,68000 Kč | 41,68 Kč |
| 10 | 26,67000 Kč | 266,70 Kč |
| 100 | 18,02870 Kč | 1 802,87 Kč |
| 500 | 14,32934 Kč | 7 164,67 Kč |
| 1 000 | 13,50767 Kč | 13 507,67 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 11,62897 Kč | 34 886,91 Kč |
| 6 000 | 11,03568 Kč | 66 214,08 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 41,68000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 50,43280 Kč |

