Pole MOSFET 20V 16A, 35A 27W, 48W Montáž na povrch 6-PowerPair™
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIZ710DT-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIZ710DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SIZ710DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SIZ710DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIZ710DT-T1-GE3
Popis
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 20V 16A, 35A 27W, 48W Montáž na povrch 6-PowerPair™
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIZ710DT-T1-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Kategorie
Rds zap (max) při Id, Vgs
6,8mOhm při 19A, 10V
Výrobce
Vishay Siliconix
Vgs(th) (max) při Id
2,2V při 250µA
Řada
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
18nC při 10V
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
820pF při 10V
Stav součásti
Zastaralé
Výkon - max
27W, 48W
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Pouzdro
6-PowerPair™
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
20V
Dodávaná velikost pouzdra
6-PowerPair™
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
16A, 35A
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí.