SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIZ710DT-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIZ710DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIZ710DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIZ710DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIZ710DT-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 16A, 35A 27W, 48W Montáž na povrch 6-PowerPair™
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIZ710DT-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	16A, 35A
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,8mOhm při 19A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	18nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	820pF při 10V
Výkon - max	27W, 48W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	6-PowerPair™
Dodávaná velikost pouzdra	6-PowerPair™
Základní číslo produktu	SIZ710