
SIZ342BDT-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIZ342BDT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIZ342BDT-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8PWR33 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 15,4A (Ta), 32,9A (Tc) 3,7W (Ta), 16,7W (Tc) Montáž na povrch 8-Power33 (3x3) |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál, společný zdroj (polomůstek) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 15,4A (Ta), 32,9A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 9,65mOhm při 10A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 12,6nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 550pF při 15V | |
Výkon - max | 3,7W (Ta), 16,7W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-PowerWDFN | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-Power33 (3x3) |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
6 000 | 5,74144 Kč | 34 448,64 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 5,74144 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 6,94714 Kč |