SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrétní polovodičové produkty

SIZ300DT-T1-GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Vishay Siliconix

Skladem : 0

Jednotková cena : 5,74144 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 3 000

Jednotková cena : 22,29000 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 3 367

Jednotková cena : 22,70000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIZ300DT-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIZ300DT-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 11A, 28A 16,7W, 31W Montáž na povrch 8-PowerPair®
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIZ300DT-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A, 28A
Rds zap (max) při Id, Vgs	24mOhm při 9,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	12nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	400pF při 15V
Výkon - max	16,7W, 31W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerWDFN
Dodávaná velikost pouzdra	8-PowerPair®
Základní číslo produktu	SIZ300