SIZ300DT-T1-GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Skladem : 5 325
Jednotková cena : 24,23000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 874
Jednotková cena : 21,97000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 213
Jednotková cena : 27,72000 Kč
Katalogový list
Pole MOSFET 30V 11A, 28A 16,7W, 31W Montáž na povrch 8-PowerPair®
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIZ300DT-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIZ300DT-T1-GE3
Popis
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 30V 11A, 28A 16,7W, 31W Montáž na povrch 8-PowerPair®
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIZ300DT-T1-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Vishay Siliconix
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
11A, 28A
Rds zap (max) při Id, Vgs
24mOhm při 9,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
12nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
400pF při 15V
Výkon - max
16,7W, 31W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
8-PowerWDFN
Dodávaná velikost pouzdra
8-PowerPair®
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.