Name: SIZ270DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZ270DT-T1-GE3TR-ND
Price: 56.9184 CZK
Availability: InStock

SIZ270DT-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIZ270DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIZ270DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIZ270DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIZ270DT-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 7,1A (Ta), 19,5A (Tc), 6,9A (Ta), 19,1A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montáž na povrch 8-PowerPair® (3,3x3,3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIZ270DT-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,1A (Ta), 19,5A (Tc), 6,9A (Ta), 19,1A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	37,7mOhm při 7A, 10V, 39,4mOhm při 7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	27nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	860pF při 50V, 845pF při 50V
Výkon - max	4,3W (Ta), 33W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerWDFN
Dodávaná velikost pouzdra	8-PowerPair® (3,3x3,3)
Základní číslo produktu	SIZ270

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	12,32597 Kč	36 977,91 Kč
6 000	11,76413 Kč	70 584,78 Kč

Jednotková cena bez DPH:	47,04000 Kč
Jednotková cena s DPH:	56,91840 Kč

SIZ270DT-T1-GE3