Name: SIZ250DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND
Price: 44.5764 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIZ250DT-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIZ250DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIZ250DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIZ250DT-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Standardní dodací lhůta výrobce	29 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 14A (Ta), 38A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montáž na povrch 8-PowerPair® (3,3x3,3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIZ250DT-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	14A (Ta), 38A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	12,2mOhm při 10A, 10V, 12,7mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	21nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	840pF při 30V, 790pF při 30V
Výkon - max	4,3W (Ta), 33W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerWDFN
Dodávaná velikost pouzdra	8-PowerPair® (3,3x3,3)
Základní číslo produktu	SIZ250