
SIZ250DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIZ250DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIZ250DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIZ250DT-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR |
Standardní dodací lhůta výrobce | 55 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 60V 14A (Ta), 38A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montáž na povrch 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIZ250DT-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 60V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 14A (Ta), 38A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 12,2mOhm při 10A, 10V, 12,7mOhm při 10A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 21nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 840pF při 30V, 790pF při 30V | |
Výkon - max | 4,3W (Ta), 33W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-PowerWDFN | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-PowerPair® (3,3x3,3) | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 42,00000 Kč | 42,00 Kč |
| 10 | 26,75100 Kč | 267,51 Kč |
| 100 | 17,99740 Kč | 1 799,74 Kč |
| 500 | 14,25008 Kč | 7 125,04 Kč |
| 1 000 | 13,04480 Kč | 13 044,80 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 11,51446 Kč | 34 543,38 Kč |
| 6 000 | 10,74454 Kč | 64 467,24 Kč |
| 9 000 | 10,35243 Kč | 93 171,87 Kč |
| 15 000 | 10,04754 Kč | 150 713,10 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 42,00000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 50,82000 Kč |


