Name: SISS50DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS50DN-T1-GE3TR-ND
Price: 43.4511 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SISS50DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SISS50DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SISS50DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SISS50DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SISS50DN-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 45 V 29,7A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8S
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,3V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 70 nC @ 10 V
Řada TrenchFET® Gen IV	Vgs (max) +20V, -16V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4000 pF @ 20 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 5W (Ta), 65,7W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 45 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 1212-8S
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 29,7A (Ta), 108A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® 1212-8S
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu SISS50
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,83mOhm při 15A, 10V