Name: SISH625DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH625DN-T1-GE3TR-ND
Price: 29.9838 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SISH625DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SISH625DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SISH625DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SISH625DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SISH625DN-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 17,3A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8SH
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 126 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4427 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 1212-8SH
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 17,3A (Ta), 35A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® 1212-8SH
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu SISH625
Rds zap (max) při Id, Vgs 7mOhm při 15A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 14 572

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)