Name: SISA26DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA26DN-T1-GE3TR-ND
Price: 16.6375 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SISA26DN-T1-GE3
cms-digikey-product-number	SISA26DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SISA26DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SISA26DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SISA26DN-T1-GE3
cms-description	MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
cms-standard-lead-time	22 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 25 V 60A (Tc) 39W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	SISA26DN-T1-GE3 Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	25 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	60A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,65mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (max)	+16V, -12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2247 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	39W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 1212-8
Pouzdro	PowerPAK® 1212-8
Základní číslo produktu	SISA26