SIS176LDN-T1-GE3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIS438DN-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIS438DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SIS438DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SIS438DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SIS438DN-T1-GE3
Popis
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Standardní dodací lhůta výrobce
27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 20 V 16A (Tc) 3,5W (Ta), 27,7W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIS438DN-T1-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET®
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
16A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
9,5mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
880 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
3,5W (Ta), 27,7W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PowerPAK® 1212-8
Pouzdro
PowerPAK® 1212-8
Základní číslo produktu
SIS438
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 22 589
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
125,89000 Kč25,89 Kč
1016,29300 Kč162,93 Kč
10010,74180 Kč1 074,18 Kč
5008,35180 Kč4 175,90 Kč
1 0007,58221 Kč7 582,21 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 0006,60465 Kč19 813,95 Kč
6 0006,11253 Kč36 675,18 Kč
9 0005,86184 Kč52 756,56 Kč
15 0005,65719 Kč84 857,85 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:25,89000 Kč
Jednotková cena s DPH:31,32690 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
6 Položky
BSZ060NE2LSATMA1

BSZ060NE2LSATMA1

MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON

Infineon Technologies

19,58000 Kč
1N4448HWT-7

1N4448HWT-7

DIODE STANDARD 80V 125MA SOD523

Diodes Incorporated

4,00000 Kč
DMG3406L-13

DMG3406L-13

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Diodes Incorporated

7,58000 Kč
TPS54623RHLT

TPS54623RHLT

IC REG BUCK ADJ 6A 14VQFN

Texas Instruments

94,09000 Kč
SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Vishay Siliconix

31,36000 Kč
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

20,00000 Kč