Name: SIRS5800DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS5800DP-T1-GE3TR-ND
Price: 112.7962 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIRS5800DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIRS5800DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIRS5800DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIRS5800DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIRS5800DP-T1-GE3
Popis	N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 46A (Ta), 265A (Tc) 7,4W (Ta), 240W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIRS5800DP-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 122 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6190 pF @ 40 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 7,4W (Ta), 240W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 46A (Ta), 265A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® SO-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7,5V, 10V	Základní číslo produktu SIRS5800
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,8mOhm při 20A, 10V